HJT 电池，又称异质结电池，采用 N 型硅㊣片衬底，工艺步㊣骤✅精简，仅有制绒清㊣洗、非晶硅薄膜沉积、TCO 薄膜沉积和电极金属化四道工序废旧电池储存设备。得益于 N 型硅衬底以及非晶硅对基底表面缺陷的双重钝化作用，HJT 电池量产效率普遍已在 24% 以上，未来叠㊣加 IBC 和钙钛矿技术，转换㊣效率有望提升至 30% 以㊣上。HJT 电池对 LID 效应免疫cigs薄膜电池，能有效避免 PID ㊣发生，首年衰减仅 1 - 2%，此后每年㊣衰减 0.25%，全生命周期每 W 发电量高出双面 PERC 电池约 1.9% - 2.9%。从投资成本来看，HJT 虽短期成本较高，但中长期降本空间广阔。