第三代半导体材料是继以硅(Si)和砷化镓(GaAs)为代表的第一代和第二代半导体材料之后，迅速发展起来的宽禁带半导体材料。随着“碳达峰、碳中和”战略的㊣推进实施，绿色、低碳、清洁能源等技术将加速应用，第三代半导体材料作为实现高效电能转换技术的重要支撑获得快速发展。2023年我国第三代半导体功率电子和微波射频两个领域实现总产值155亿元，其中，SiC路灯蓄电池储存盒、GaN功率电子产值规模85.4亿元，GaN微波射频产值70亿元。2024年，我国第三代半导体功率电子和微波射频两个领域实现总产值约168亿元，其中，SiC、GaN功率电子产值规模约95亿元，GaN微波射频产值约73亿元。随着✅人工智能、数据中心、汽车电子等应用领域的快速发展，行业正迎来前所未有的发展机遇。
关键词：第三代半㊣导体材料市场规模、第三代半导体材料市场竞争格局、第三代半导体材料行业发展前景
半导体材料是一类具有㊣半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。而第三代半导体材料主要是指以硅(Si)和砷化镓(GaAs)为代表的宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、临界㊣磁场高、电子迁移率与电子饱和迁移速率极高等性质，适用于高压、高频、高温的应用㊣场景，如新能源车、可再生能源、5G通信等。
第三代半导体材料是继以硅(Si)和砷化镓(GaAs)为代表的第一代和第二代半导体材料之后，迅速发展起来的宽禁带半导体材料。它是㊣通过材料性能跃迁推动电力电子系统效率提升（如SiC逆变器使电动车续航增加5%-10%），是未来十年全球科技竞争的战略制高点，中国在该领域的产能扩张与关键技术突破正加速改写全球产业格局。
目前，Si✅C和GaN㊣是第三代半导体材料研发较为成熟的材料。SiC具有高临界磁场、高电子饱和速度与极高热导率等特点，使得其器件适用于高频高温的应用场景，相较于硅器件，可以显著降低开关损耗。因此，SiC可以制造高耐压、大功率电力电子器件如MOSFET、IGBT、SBD等，用于智㊣能电网、新能源汽车等行业。与硅元器件相比，GaN具有高临界磁场、高电子饱和速度与极高的电子迁移率的特点，是超高频器件的极佳选择，适用于5G通信、微波射频等领域的应用。
近年来，全球SiC和GaN材料的市场规模呈现逐年增长趋势，2023年全球SiC和GaN的整体市场规模约43亿美元。在混合动力和电动汽车、电源和光伏逆变器等需求的推动下，2024年，全球SiC和GaN功率半导体市场规模约为50亿美元。
第三代半导体技代表了新一代半导体技术的发展方向。近年来，在国家政策持续支持、技术创新加速的推动下，我国半导体产业整体向好，尤其是第三代半导体技术。随着“碳达峰、碳中和”战略的推进实施，绿色、低碳、清洁能源等技术㊣将加速应用，第三代半导体材料作为㊣实现高效电能转换技术的重要支撑获得快速发展。
初步核算，2023年我国第三代半导体功率电子和微波射频两个领域实现总产值155亿元。其中，SiC、GaN功率电子产✅值规模达85.4亿元，GaN微波射频产值为70亿元；2024年我国第三代半导体功率电子和微波射频两个领域实现总产值大约168亿元。其中，SiC、GaN功率电子产值规模约95亿元GaN微波射频产值约73亿元。
注：本文节选出自智研咨询发布的《2025年中国第三代半导体材料行业整体发展形势及未来趋势研判：行业正迎来✅发展机遇，龙头企业竞争力增强，国产化率提升[图]》行业分析文章，如需获取行业文章全部内容，可进入智研咨询官网搜索查看。
由智研咨询专家团队精心编制的《中国第三代半导体材料行业市场需求分析及投资战略咨询报告》（以下简称《报告》）重磅发布，《报告》旨在从国家经济及产业发展的战略入手，分析第㊣三代半导体材料行业未来的市场走向，挖掘第三代半导体材料行业的发展潜力，预测第三代半导体材料行业的发展前景，助力第三代半导体材料行业的高质量发展砷化镓龙头上市公司。
本《报告》从2024年全国第三代半导体材料行业发展环境、整体运㊣行态势、运行现状、进出口、竞争格局等角度进行入手，系统、客观的对我国第三代半导体材料行业发展运行进行了深度剖析，展望2025年中国第三代半导体材料行业发展趋势。《报告》是系统分析2024年度中国第三代半导体材料行业发展状况的著作，对于全面了解中国第三代半导体材料行业的发展状况、开展与第三代半导体材料行业发展相关的学术研究和实践，具有重要的借鉴价值，可供从事第三代半导体材料行业相关的政府部门、科研机构、产业企业等相关人员阅读参考。
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