对CdTe吸收层的背表面p型掺杂和钝化是提升CdTe薄膜太阳电池的关键步骤。近年来，不同的Cu掺杂前驱体（Cu(I)和Cu（Ⅱ）材料）和钝化材㊣料（含Se，Cl，Al材料）✅被研究。然而，鲜有研究者提出新的兼具掺✅杂和钝化功能的背面应用材料。
鉴于此，2024年5月30日四川大学教授等人（2021级博士生王永华为第一作者）于Nano Energy刊发兼具p型掺杂和Se钝化功能潜力的CuSe作为CdTe吸收层掺杂前驱体。采用与当前工业生产前端工艺相兼容的反溶剂沉积工艺，在CdTe吸收层背面均匀沉积了纳米CuSe颗粒。
研究结果显示，CuSe处理的CdTe薄膜太阳电池最优器件开路电压达到842.5mV,远远高于CuCl2处理的CdTe器件（791.4mV）。J-V测试，Mott-Schottky测试和阻抗谱测试结果表面锂电池分为哪三大类，CuSe处理的C✅dT㊣e薄膜太阳电池器件不仅达到了p型掺杂的目的，同时获得了S✅e的钝化功能。兼具掺杂和钝化的前驱体材料选择策略，对高效率CdTe薄膜太阳电池的研究提供了新颖的研究思路。
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